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全球第二大内存芯片制造商 SK 海力士公司计划到 2046 年投资超过 120 万亿韩元（907 亿美元），在韩国京畿道龙仁半导体集群建设全球最大的芯片生产设施。
该公司周四表示，将于明年三月开始建设该设施四个单元中的第一个单元。SK 海力士补充说，第一个单元将是世界上最大的三层制造工厂。
据该公司称，第一个单元的工地已完成约 35%。自2019年首次宣布该计划以来，由于许可程序，其开发一直被推迟；SK 海力士表示，通过政府、市政府和公司之间的协议，该项目于 2022 年重新获得关注。
贸易部长安德根周四视察了现场。他承诺，政府将支持韩国芯片产业建设相关基础设施，确保无与伦比的技术，扩大出口，并加强材料、零部件和设备以及芯片设计和销售等关键领域的健康生态系统。
上个月，贸易部成立了一个工作组，重点关注 SK 海力士半导体集群的电力供应。
当局本月将宣布一项针对该国七个专门从事先进和战略产业（包括半导体集群）的综合体的全面支持计划。
到6月底，政府将公布加速人工智能芯片出口和加强半导体设备的战略。
“所有部门将共同努力，确保韩国企业在半导体制造速度方面不会落后于全球企业。我们将积极支持高带宽内存（HBM）芯片，以实现今年半导体出口超过1200亿美元。”
三星和SK海力士，争霸HBM
三星电子和SK海力士正在激烈竞争人工智能存储芯片领域的领先地位。
SK目前率先量产第五代AI存储芯片HBM3E DRAM，处于市场领先地位，并将其供应给美国AI芯片设计巨头Nvidia。作为回应，三星正在开发业界首款 12 堆栈 HBM3E DRAM，Nvidia 正在测试该产品的潜在用途。这凸显了两家公司在人工智能存储芯片领域主导地位的激烈竞争。
周二，SK海力士宣布量产全球首款HBM3E，并确认计划在3月下旬开始向主要客户发货。HBM 是高带宽内存（High Bandwidth Memory）的缩写，作为人工智能芯片的重要组成部分，其重要性日益凸显。HBM 技术通过垂直连接多个 DRAM 彻底改变了数据处理速度。
SK海力士宣布了向英伟达供应八层芯片的独家协议，英伟达占据了人工智能芯片市场80%以上的份额。SK 的 HBM3E 将集成到 Nvidia 即将推出的下一代 AI 芯片 Blackwell 中，该芯片定于今年第四季度发布，继第二季度发布的另一款 AI 芯片 GH200 后。
该公司表示，其 HBM3E 在人工智能存储芯片所必需的所有关键方面（包括速度和热控制）都拥有业界最高水平的性能。
市场研究机构 TrendForce 的数据显示，去年，SK 海力士领先于内存半导体竞争对手三星电子和美光，占据了 53% 的市场份额。
SK 海力士 HBM 业务负责人 Ryu Sung-soo 表示：“凭借 HBM 业务的成功故事以及多年来与客户建立的牢固合作伙伴关系，SK 海力士将巩固其作为全面 AI 内存提供商的地位。”
为了追赶领先者，三星也在今年2月宣布成功开发出业界首款12栈HBM3E DRAM，并称将于今年上半年开始量产。
三星和 SK 均在 Nvidia GTC 活动上推出了最新的 HBM 产品。
周二（当地时间）在 GTC 活动期间举行的媒体发布会上，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋表示，三星和 SK 海力士是重要客户，他们的合作伙伴关系正在帮助英伟达发展其 AI 芯片业务。黄还提到，尽管该公司目前没有使用三星的产品，但英伟达正在进行测试以评估这些产品的潜在附加值。
“我还没有使用三星的HBM3E。我目前正在验证它，”黄说。“随着生成式AI的出现，所有数据中心的DDR RAM都将被HBM取代，三星和SK海力士的升级周期将是巨大的。”
三星芯片部门总裁 Kyung Kye-hyun 表示，该公司的目标是在未来两到三年内凭借包括尖端 AI 存储半导体在内的最新技术重新夺回全球半导体市场的头把交椅。
Kyung 周三在京畿道水原市举行的股东年度会议上表示：“这将是半导体行业全面复苏和增长的一年。” “我们计划在两到三年内重新夺回半导体行业的第一把交椅。”
为此，该公司表示，其目标是通过使用 12 纳米制造技术开发 DDR5 DRAM 来引领市场，并以其 12 层堆叠 HBM 产品确保在 HBM 市场的主导地位。
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